《集成电路布图设计保护条例》（自2026年10月15日起施行）

2026年修订的《集成电路布图设计保护条例》以强化专有权保护、促进产业运用为主线，将保护客体从传统半导体集成电路扩展至集成光子、量子等新型功能电路。条例坚持登记确权原则，强调申请须以真实创作活动为基础，明确独创性声明与图样作为权利边界的解释依据。在权利行使层面，新增滥用专有权适用《反垄断法》的衔接条款，并完善非自愿许可的启动条件与救济路径。侵权赔偿引入惩罚性赔偿规则（1至5倍），同时细化善意商业利用者的责任豁免与合理使用费支付义务。条例还强化了保密义务、代理机构责任及对歧视性待遇的对等反制安排。

专有权的取得与归属

专有权自国务院知识产权行政部门登记之日起产生，保护期为10年，自申请日或首次商业利用孰早日起算；无论是否登记，创作完成满15年不再受保护。权利归属遵循创作人原则，法人作品、合作创作与委托创作分别设置了约定优先及法定补充规则。单位职务创作情形下，权利人应依据成果转化法规对创作人员给予合理奖励报酬。

登记程序与审查标准

登记须提交申请表、复制件或图样及独创性声明，声明应指明独创性区域、设计要点与功能。首次商业利用超过2年未申请的，不予登记。条例采用初步审查制，对明显不符合客体定义、独创性要求或违反诚实信用原则的申请可驳回，并设复审与司法救济渠道。已登记权利若存在不符合法定条件的情形，可依职权或依请求撤销，撤销后权利视为自始不存在。

权利行使限制与强制许可

为个人学习研究、反向分析基础上的再创作以及独立创作相同布图设计的行为不视为侵权；权利人投放市场后的再度商业利用适用权利用尽规则。在国家紧急状态、公共利益需要或反垄断补救情形下，行政部门可给予非自愿许可，其范围限于公共目的非商业性使用或垄断补救，使用费协商不成由行政部门裁决，相关决定均可诉诸法院。

侵权救济与善意使用人保护

侵权行为涵盖复制独创性部分及商业利用侵权产品，权利人或利害关系人可诉请法院或请求行政部门处理，后者可责令停止侵权、没收销毁侵权物品。赔偿额按实际损失、侵权获利或许可使用费倍数确定，故意且情节严重者可在1至5倍区间内判赔惩罚性赔偿，并支持合理维权开支。对不知情而商业利用侵权产品的行为人，免于侵权责任，但接到通知后仍继续利用现有存货或订货的，须支付合理使用费。